PD6A6BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PD6A6BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de PD6A6BA MOSFET
PD6A6BA Datasheet (PDF)
pd6a6ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PD6A6BANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 8m 60A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 40 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 60
Otros transistores... PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , CS150N03A8 , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA .
History: TK13A65U | AP4963GEM | LNH045R140
History: TK13A65U | AP4963GEM | LNH045R140



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