PE527BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE527BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE527BA MOSFET
PE527BA Datasheet (PDF)
pe527ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE527BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 14m -38A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchi
Otros transistores... PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , AON6380 , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA .
History: SLD65R950S2 | TPP65R075DFD | BL6N70A-D | PMT280ENEA | TT8U1 | TPU65R600M | DCC040M65G2
History: SLD65R950S2 | TPP65R075DFD | BL6N70A-D | PMT280ENEA | TT8U1 | TPU65R600M | DCC040M65G2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent