PE527BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PE527BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PE527BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PE527BA даташит
pe527ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE527BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 14m -38A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchi
Другие IGBT... PD609CX, PD616BA, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA, PD6D2BA, IRF530, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMSH1003TTL | PE597BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent

