PE551BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE551BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE551BA MOSFET
PE551BA Datasheet (PDF)
pe551ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE551BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -22A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30
Otros transistores... PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , AO3401 , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA .
History: HM60N05 | DG2N60-252 | TT8K1 | AP4451GYT-HF | HSU0018A | AO8808A | YTF153
History: HM60N05 | DG2N60-252 | TT8K1 | AP4451GYT-HF | HSU0018A | AO8808A | YTF153



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent