PE6R8DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE6R8DX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE6R8DX MOSFET
PE6R8DX Datasheet (PDF)
pe6r8dx.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE6R8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 15.5m 24A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2Ap
Otros transistores... PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , AOD4184A , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA .
History: FS70SM-2 | FQP630TSTU | FQP6N15 | IRF6100PBF | FS70UMJ-2
History: FS70SM-2 | FQP630TSTU | FQP6N15 | IRF6100PBF | FS70UMJ-2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218

