PE6R8DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE6R8DX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE6R8DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6R8DX даташит

 ..1. Size:324K  niko-sem
 pe6r8dx.pdf pdf_icon

PE6R8DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6R8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 15.5m 24A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2 Ap

Другие IGBT... PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, 75N75, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA