PE6R8DX - аналоги и даташиты транзистора

 

PE6R8DX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE6R8DX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE6R8DX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6R8DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  niko-sem
 pe6r8dx.pdf pdf_icon

PE6R8DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6R8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 15.5m 24A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2Ap

Другие MOSFET... PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , HY1906P , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA .

History: FQU4N20TU | AOSX21319C | 2SK3510-ZJ | FQU5N60CTU | BLS65R380-D | IPD70N10S3-12

 

 
Back to Top

 


 
.