PE6R8DX - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE6R8DX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE6R8DX
PE6R8DX технические параметры
pe6r8dx.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE6R8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 15.5m 24A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2 Ap
Другие MOSFET... PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , AOD4184A , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218


