PEE50BB Todos los transistores

 

PEE50BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PEE50BB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 138 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PEE50BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  niko-sem
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PEE50BB

PEE50BB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 1.4m 138A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG.

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History: 4N65L-TM3-T | AOSD21307 | OSG90R1K2IF | FQU2N90TU | NCEP040N85GU

 

 
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