Справочник MOSFET. PEE50BB

 

PEE50BB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PEE50BB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1276 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PEE50BB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PEE50BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  niko-sem
 pee50bb.pdf pdf_icon

PEE50BB

PEE50BB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 1.4m 138A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG.

Другие MOSFET... PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , 50N06 , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA .

History: 2SK1694 | IRF8113PBF | OSG80R650AF | SLB80R850SJ | AP4451GYT-HF | PA010BV | BUZ51

 

 
Back to Top

 


 
.