PEE50BB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PEE50BB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PEE50BB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PEE50BB даташит

 ..1. Size:415K  niko-sem
 pee50bb.pdf pdf_icon

PEE50BB

PEE50BB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 1.4m 138A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D G.

Другие IGBT... PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, 50N06, PF515BM, PF5B3BA, PF5G3EA, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA