PF5B3BA Todos los transistores

 

PF5B3BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PF5B3BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 505 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PF5B3BA Datasheet (PDF)

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PF5B3BA

P-Channel Enhancement PF5B3BANIKO-SEM TO-220FMode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 8m -52A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1. GATE Appli

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History: AO4854 | MTN20NF06J3

 

 
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