PF5B3BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PF5B3BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для PF5B3BA
PF5B3BA Datasheet (PDF)
pf5b3ba.pdf
P-Channel Enhancement PF5B3BANIKO-SEM TO-220FMode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 8m -52A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1. GATE Appli
Другие MOSFET... PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , IRFZ44 , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA .
History: IRF620B | FS70VSJ-06F | IRF6201PBF
History: IRF620B | FS70VSJ-06F | IRF6201PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735


