PG1010BK Todos los transistores

 

PG1010BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PG1010BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PG1010BK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PG1010BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  niko-sem
 pg1010bk.pdf pdf_icon

PG1010BK

N-Channel Enhancement Mode PG1010BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 10m 58A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vol

 7.1. Size:238K  niko-sem
 pg1010bd.pdf pdf_icon

PG1010BK

N-Channel Enhancement Mode PG1010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 10.5m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Otros transistores... PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , IRF640N , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ .

History: PECJ1EU | PG2910BD | HSBE2738 | 4N65G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.