Справочник MOSFET. PG1010BK

 

PG1010BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PG1010BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PG1010BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  niko-sem
 pg1010bk.pdf pdf_icon

PG1010BK

N-Channel Enhancement Mode PG1010BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 10m 58A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vol

 7.1. Size:238K  niko-sem
 pg1010bd.pdf pdf_icon

PG1010BK

N-Channel Enhancement Mode PG1010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 10.5m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.