PK5C1BA Todos los transistores

 

PK5C1BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK5C1BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 818 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PK5C1BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PK5C1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  niko-sem
 pk5c1ba.pdf pdf_icon

PK5C1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5C1BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 5.1m -74A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Otros transistores... PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , 12N60 , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , PK5V8EN , PK5X8BA .

History: P2003BEA | 1N65L-AA3-R | IRFP440R | CS12N65FA9R | QS8M51 | MME70R380PRH | 25N10L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.