PK5C1BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PK5C1BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 818 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK5C1BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PK5C1BA даташит
pk5c1ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5C1BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -40V 5.1m -74A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching
Другие IGBT... PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, STP75NF75, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA
History: 3SK226
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65

