Справочник MOSFET. PK5C1BA

 

PK5C1BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK5C1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 818 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5C1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  niko-sem
 pk5c1ba.pdf pdf_icon

PK5C1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5C1BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 5.1m -74A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGD750N15M | QS8K13 | TK3A60DA | TTP118N08A | NTB5404N | MTE130N20FP

 

 
Back to Top

 


 
.