PK5G3EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PK5G3EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 795 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK5G3EA

PK5G3EA Datasheet (PDF)

..1. Size:314K niko-sem
pk5g3ea.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5G3EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -87A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G

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History: FDMT800152DC

Liste

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