PK5G3EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK5G3EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 795 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK5G3EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5G3EA даташит

 ..1. Size:314K  niko-sem
 pk5g3ea.pdf pdf_icon

PK5G3EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5G3EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -87A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G

Другие IGBT... PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, IRF9540N, PK5H3EN, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA