PK5G3EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK5G3EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 795 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK5G3EA
PK5G3EA Datasheet (PDF)
pk5g3ea.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5G3EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -87A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G
Другие MOSFET... PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , K4145 , PK5H3EN , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , PK5V8EN , PK5X8BA , PK601CA , PK609CA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816