PK5H3EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PK5H3EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1072 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6PX

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK5H3EN

PK5H3EN Datasheet (PDF)

..1. Size:391K niko-sem
pk5h3en.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5H3EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 3.2m -116A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

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History: HFD1N60S

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: