PK5H3EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK5H3EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1072 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6PX

Аналог (замена) для PK5H3EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5H3EN даташит

 ..1. Size:391K  niko-sem
 pk5h3en.pdf pdf_icon

PK5H3EN

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5H3EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 3.2m -116A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие IGBT... PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, IRF4905, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA, PK626HY