PK5H3EN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK5H3EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1072 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6PX
Аналог (замена) для PK5H3EN
PK5H3EN Datasheet (PDF)
pk5h3en.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5H3EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 3.2m -116A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
Другие MOSFET... PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , IRF4905 , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , PK5V8EN , PK5X8BA , PK601CA , PK609CA , PK626HY .
History: PK5V8EN | PK5L4BA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet


