Справочник MOSFET. PK5H3EN

 

PK5H3EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK5H3EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1072 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6PX
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5H3EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  niko-sem
 pk5h3en.pdf pdf_icon

PK5H3EN

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5H3EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 3.2m -116A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.