PK5X8BA Todos los transistores

 

PK5X8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK5X8BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 427 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK5X8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  niko-sem
 pk5x8ba.pdf pdf_icon

PK5X8BA

N-Channel Enhancement Mode PK5X8BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 5.6m 67A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

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History: MTED6N25KJ3 | APG095N01G | UF630L-TF1-T | RJL5032DPP-M0 | AUIRFN8405TR | AP60P20Q | 2N4119

 

 
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