PK5X8BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PK5X8BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK5X8BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PK5X8BA даташит
pk5x8ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK5X8BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 5.6m 67A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Другие IGBT... PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, 4435, PK601CA, PK609CA, PK626HY, PK676BA, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor

