PK676BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK676BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 712 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6P
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PK676BA datasheet
pk676ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK676BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE 40V 2m 161A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt
Otros transistores... PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA, PK626HY, 13N50, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS, PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA
History: SPD04N80C3 | 2N4416AC1C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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