PK676BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK676BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK676BA
PK676BA Datasheet (PDF)
pk676ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PK676BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG. GATE 40V 2m 161A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt
Другие MOSFET... PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , PK5V8EN , PK5X8BA , PK601CA , PK609CA , PK626HY , AO4407 , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , PK884DS , PK892DS , PK8A6EA , PK8B0BA .
History: PK626HY | PK5M6EA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188