PK676BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK676BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK676BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK676BA даташит

 ..1. Size:247K  niko-sem
 pk676ba.pdf pdf_icon

PK676BA

N-Channel Enhancement Mode PK676BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE 40V 2m 161A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Volt

Другие IGBT... PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA, PK626HY, 13N50, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS, PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA