PK8B0BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PK8B0BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 304 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK8B0BA

PK8B0BA Datasheet (PDF)

..1. Size:414K niko-sem
pk8b0ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PK8B0BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30 7.8m 47A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. G

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History: BF1105WR

Liste

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