PKE02BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKE02BB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 864 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00345 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PKE02BB MOSFET
PKE02BB Datasheet (PDF)
pke02bb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKE02BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 3.45m 90A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Otros transistores... PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , AO3401 , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA .
History: FSS130R | PSMN1R7-25YLC | IXTA4N80P | CED02N6A | PSMN1R9-25YLC | IXTC180N10T | IXTC200N075T
History: FSS130R | PSMN1R7-25YLC | IXTA4N80P | CED02N6A | PSMN1R9-25YLC | IXTC180N10T | IXTC200N075T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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