PKE02BB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PKE02BB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00345 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PKE02BB Datasheet (PDF)
pke02bb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKE02BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 3.45m 90A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RFD10P03L | AP78T10GP | HYG060N08NS1U | RJK5013DPE | RJL6013DPP | SMG2310A | IXFP18N65X2
History: RFD10P03L | AP78T10GP | HYG060N08NS1U | RJK5013DPE | RJL6013DPP | SMG2310A | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06