PM5C3BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM5C3BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de PM5C3BA MOSFET
PM5C3BA Datasheet (PDF)
pm5c3ba.pdf

PM5C3BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 50m -4A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G: GATE D:
Otros transistores... PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , IRFB31N20D , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA , PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA .
History: RTR020P02 | RTQ045N03TR | WMN13N50C4
History: RTR020P02 | RTQ045N03TR | WMN13N50C4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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