PM5C3BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5C3BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5C3BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5C3BA даташит

 ..1. Size:259K  niko-sem
 pm5c3ba.pdf pdf_icon

PM5C3BA

PM5C3BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 50m -4A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G GATE D

Другие IGBT... PKE30BB, PKE94BB, PKE96BB, PKEA6EB, PM515BA, PM555BZ, PM567EA, PM569BA, IRF2807, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, PM5T4EA, PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA