Справочник MOSFET. PM5C3BA

 

PM5C3BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM5C3BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PM5C3BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5C3BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  niko-sem
 pm5c3ba.pdf pdf_icon

PM5C3BA

PM5C3BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 50m -4A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G: GATE D:

Другие MOSFET... PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , IRFB31N20D , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA , PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA .

History: PSMN5R0-100ES | 12N60L-TF2-T | LNH4N60 | 19N10G-TMS-T | PE601CA | ZXMN3A04K | HAT2165H

 

 
Back to Top

 


 
.