PP9H06BI Todos los transistores

 

PP9H06BI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PP9H06BI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 565 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de PP9H06BI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PP9H06BI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  niko-sem
 pp9h06bi.pdf pdf_icon

PP9H06BI

PP9H06BI N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 9.8m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

 7.1. Size:298K  niko-sem
 pp9h06bk.pdf pdf_icon

PP9H06BI

N-Channel Enhancement Mode PP9H06BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 9.1m 60A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

 7.2. Size:207K  niko-sem
 pp9h06bd.pdf pdf_icon

PP9H06BI

PP9H06BD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 9.8m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

 7.3. Size:370K  niko-sem
 pp9h06bea.pdf pdf_icon

PP9H06BI

N-Channel Enhancement Mode PP9H06BEA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G60V 9.8m 47A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PP4B10BK , PP4B10BS , PP9C15AD , PP9C15AF , PP9C15AK , PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , IRF1404 , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 .

History: PA567JA | MRF166W | AP4455GEH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.