PV609CA Todos los transistores

 

PV609CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV609CA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PV609CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  niko-sem
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PV609CA

PV609CAN- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8Field Effect TransistorHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 40V 25m 6A 60m -4.3A P-Channel -40V Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Swit

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History: SSE110N03-03P | CS16N65F | AOT12N40 | SVF12N65CK | SUD35N10-26P | DMN1019USN | FMV12N50ES

 

 
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