PZ567JZ Todos los transistores

 

PZ567JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ567JZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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PZ567JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  niko-sem
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PZ567JZ

Dual P-Channel Logic Level PZ567JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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History: HCD60R900 | IPB50R250CP | BLM04N08-P | 2SK3666-3-TB-E | DMG9N65CTI | STF28NM60ND | 2SJ647

 

 
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