PZ567JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZ567JZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de PZ567JZ MOSFET
 
PZ567JZ Datasheet (PDF)
pz567jz.pdf
Dual P-Channel Logic Level PZ567JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Otros transistores... PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T , PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , IRF4905 , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK .
History: BRF6N70
History: BRF6N70
 
 
 
 
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