FQP9P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQP9P25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP9P25

FQP9P25 Datasheet (PDF)

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fqp9p25.pdf

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP9P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -9.4A, -250V, RDS(on) = 0.62 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology is es

..2. Size:875K onsemi
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Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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