SMK0260DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMK0260DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SMK0260DN datasheet

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SMK0260DN

SMK0260DN Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features D High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ.) Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SMK0260DN SMK0260 TO-252 Marking Diagram Column 1, 2 Device Code

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SMK0260DN

SMK0260F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ.) Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK0260F SMK0260 TO-220F-3L Marking Information AUK = Manufacture Lo

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SMK0260DN

SM 260IS MK02 S Advan ower MOSFE nced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIO WITCHIN GULATO ON Fe eatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e BVDSS=600 Low gate c charge Qg=7nC (Typ.) Low drain- (Typ.) -source On resistance RDS(on)=3.9 100% avala anche tested RoHS comp ce pliant devic Or nformatio rdering In on G D S Part Num

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SMK0260DN

SMK0260I Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ. Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G D S Ordering Information Part Number Marking Package I-PAK SMK0260I SMK0260 I-PAK Marking Diagram SMK Column 1,2 Device Code 02

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