SMK0260DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMK0260DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SMK0260DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMK0260DN даташит

 ..1. Size:606K  auk
 smk0260dn.pdf pdf_icon

SMK0260DN

SMK0260DN Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features D High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ.) Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SMK0260DN SMK0260 TO-252 Marking Diagram Column 1, 2 Device Code

 7.1. Size:743K  auk
 smk0260f.pdf pdf_icon

SMK0260DN

SMK0260F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ.) Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK0260F SMK0260 TO-220F-3L Marking Information AUK = Manufacture Lo

 7.2. Size:462K  auk
 smk0260is.pdf pdf_icon

SMK0260DN

SM 260IS MK02 S Advan ower MOSFE nced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIO WITCHIN GULATO ON Fe eatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e BVDSS=600 Low gate c charge Qg=7nC (Typ.) Low drain- (Typ.) -source On resistance RDS(on)=3.9 100% avala anche tested RoHS comp ce pliant devic Or nformatio rdering In on G D S Part Num

 7.3. Size:609K  auk
 smk0260i.pdf pdf_icon

SMK0260DN

SMK0260I Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =3.4pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=7.0nC(Typ. Low R R =4.7 (Max.) DS(on) DS(on) G D S Ordering Information Part Number Marking Package I-PAK SMK0260I SMK0260 I-PAK Marking Diagram SMK Column 1,2 Device Code 02

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN600R70MD, SJMN600R70MF, SJMN600R70ZD, SJMN600R70ZF, SJMN670R80ZD, SJMN670R80ZF, SJMN850R80ZD, SJMN850R80ZF, IRFB4115, SMK0260F, SMK0260I, SMK0460D, SMK0465I, SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F, SMK1065F