SNN1830NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN1830NL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 414 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TESOP-8
- Selección de transistores por parámetros
SNN1830NL Datasheet (PDF)
snn1830nl.pdf

SNN1830NL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs S S S G Features 100% EAS guaranteed Max. RDS(ON)=4m at VGS=10V, ID=30A Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN1830NL F1830 TESOP-8 Marking Information Column 1: Device Code Column 2: Produc
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: CHM3082JGP | P9515BD | IRFSL31N20DP | AP9563GK | HM4612 | OSG80R900FF | AOTF7N70
History: CHM3082JGP | P9515BD | IRFSL31N20DP | AP9563GK | HM4612 | OSG80R900FF | AOTF7N70



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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