SNN1830NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN1830NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 414 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TESOP-8

Аналог (замена) для SNN1830NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN1830NL даташит

 ..1. Size:619K  auk
 snn1830nl.pdf pdf_icon

SNN1830NL

SNN1830NL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs S S S G Features 100% EAS guaranteed Max. RDS(ON)=4m at VGS=10V, ID=30A Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN1830NL F1830 TESOP-8 Marking Information Column 1 Device Code Column 2 Produc

Другие IGBT... SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, K4145, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL, SNN3530NL, SNP130L04F