SNN3100L10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN3100L10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SNN3100L10D
SNN3100L10D Datasheet (PDF)
snn3100l10d.pdf
SNN3100L10D Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) gD Logic level gate drive 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN3100L10D N3100L10 TO-252 M
snn3100l10q.pdf
SNN3100L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 S
snn3100l15q.pdf
SNN3100L15Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 150V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 13nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN3100L15Q N
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Liste
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