SNN3100L10Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNN3100L10Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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SNN3100L10Q datasheet

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SNN3100L10Q

SNN3100L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 S

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SNN3100L10Q

SNN3100L10D Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 7nC (Typ.) g D Logic level gate drive 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN3100L10D N3100L10 TO-252 M

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SNN3100L10Q

SNN3100L15Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 150V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 13nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN3100L15Q N

Otros transistores... SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, 5N65, SNN3100L15Q, SNN3530BNL, SNN3530NL, SNP130L04F, SNP250L06F, SRN0765D, SRN0765F, SRN127