SNN3100L10Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SNN3100L10Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для SNN3100L10Q
SNN3100L10Q Datasheet (PDF)
snn3100l10q.pdf
SNN3100L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 S
snn3100l10d.pdf
SNN3100L10D Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) gD Logic level gate drive 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN3100L10D N3100L10 TO-252 M
snn3100l15q.pdf
SNN3100L15Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 150V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 13nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN3100L15Q N
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: KP749B | IPP60R099C6
History: KP749B | IPP60R099C6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918