SRN1660F Todos los transistores

 

SRN1660F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRN1660F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SRN1660F datasheet

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SRN1660F

SRN1660F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking

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SRN1660F

SRN1660FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin

 8.1. Size:618K  auk
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SRN1660F

SRN1665FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.46 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin

Otros transistores... SNN3100L15Q , SNN3530BNL , SNN3530NL , SNP130L04F , SNP250L06F , SRN0765D , SRN0765F , SRN127 , IRFP450 , SRN1660FD , SRN1665FD , SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF .

 

 

 


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