SRN1660FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRN1660FD
Código: SRN1660
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
- Selección de transistores por parámetros
SRN1660FD Datasheet (PDF)
srn1660fd.pdf
SRN1660FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin
srn1660f.pdf
SRN1660F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking
srn1665fd.pdf
SRN1665FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.46 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin
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Liste
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