SRN1660FD Todos los transistores

 

SRN1660FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRN1660FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SRN1660FD Datasheet (PDF)

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SRN1660FD

SRN1660FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin

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SRN1660FD

SRN1660F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.47 (Max.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking

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SRN1660FD

SRN1665FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.46 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =50nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin

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