SRN1860FD Todos los transistores

 

SRN1860FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRN1860FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 149 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SRN1860FD PDF Specs

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SRN1860FD

SRN1860FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =24pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marki... See More ⇒

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SRN1860FD

SRN1860F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =24pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S TO-220F-3L Ordering Information Part Number Markin... See More ⇒

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SRN1860FD

SRN1865FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin... See More ⇒

Otros transistores... SNP250L06F , SRN0765D , SRN0765F , SRN127 , SRN1660F , SRN1660FD , SRN1665FD , SRN1860F , 4N60 , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , SUN82A20CI , SUN830D .

 

 
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