SRN1865FD Todos los transistores

 

SRN1865FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRN1865FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 149 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SRN1865FD datasheet

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SRN1865FD

SRN1865FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =22pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Markin

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SRN1865FD

SRN1860F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =24pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S TO-220F-3L Ordering Information Part Number Markin

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SRN1865FD

SRN1860FD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Low gate charge Q =57nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =24pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marki

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