SUN09A40D Todos los transistores

 

SUN09A40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUN09A40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SUN09A40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  auk
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SUN09A40D

SUN09A40D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.7 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =17nC (Typ.) gD Low reverse transfer capacitance: C =13pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking

Otros transistores... SRN1660FD , SRN1665FD , SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , 13N50 , SUN50A20CI , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E .

History: IRLU9343 | SI7392ADP | IRF7379 | RUH1H150R | HYG055N08NS1B | FDC8886 | FBM75N68B

 

 
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