SUN09A40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUN09A40D
   Código: SUN09A40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUN09A40D

SUN09A40D Datasheet (PDF)

..1. Size:714K auk
sun09a40d.pdf

SUN09A40D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.7 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =17nC (Typ.) gD Low reverse transfer capacitance: C =13pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking

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Liste

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