Справочник MOSFET. SUN09A40D

 

SUN09A40D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN09A40D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUN09A40D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN09A40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  auk
 sun09a40d.pdf pdf_icon

SUN09A40D

SUN09A40D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.7 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =17nC (Typ.) gD Low reverse transfer capacitance: C =13pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking

Другие MOSFET... SRN1660FD , SRN1665FD , SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , 13N50 , SUN50A20CI , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E .

History: SFF9230Z | IXFP36N20X3M | R6515KNZ | 3N60AF | SQ3426AEEV | SPB80N06S2L-07 | 8205S

 

 
Back to Top

 


 
.