Справочник MOSFET. SUN09A40D

 

SUN09A40D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN09A40D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN09A40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  auk
 sun09a40d.pdf pdf_icon

SUN09A40D

SUN09A40D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.7 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =17nC (Typ.) gD Low reverse transfer capacitance: C =13pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IAUC120N04S6L012 | SIHG47N60S | CHM8968JGP | 9N95 | SSF5NS50U | GP1T160A120B | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.