SUN50A20CI Todos los transistores

 

SUN50A20CI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUN50A20CI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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SUN50A20CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  auk
 sun50a20ci.pdf pdf_icon

SUN50A20CI

SUN50A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =80nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =51m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN50A20CI SUN50A20 TO-

Otros transistores... SRN1665FD , SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SKD502T , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E .

History: SISS40DN | AP98T06GP-HF | FS14SM-10 | PV551BA | BUK9Y41-80E | 50N06 | CHM2316QGP

 

 
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