SUN50A20CI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUN50A20CI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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SUN50A20CI datasheet

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SUN50A20CI

SUN50A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =80nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =51m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN50A20CI SUN50A20 TO-

Otros transistores... SRN1665FD, SRN1860F, SRN1860FD, SRN1865FD, SUN05A25F, SUN05A50ZD, SUN05A50ZF, SUN09A40D, RFP50N06, SUN82A20CI, SUN830D, SUN830DN, SUN830F, SUN830I, QM1830M3, AOCR33105E, AOCR35101E