Справочник MOSFET. SUN50A20CI

 

SUN50A20CI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN50A20CI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SUN50A20CI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN50A20CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  auk
 sun50a20ci.pdf pdf_icon

SUN50A20CI

SUN50A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =80nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =51m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN50A20CI SUN50A20 TO-

Другие MOSFET... SRN1665FD , SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SKD502T , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E .

History: WMN80R350S | IRF7463 | NCEP02T11D | 2SK2317 | SiS412DN | RFD15P05SM | MTP2N50

 

 
Back to Top

 


 
.