SUN50A20CI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUN50A20CI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUN50A20CI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN50A20CI даташит

 ..1. Size:687K  auk
 sun50a20ci.pdf pdf_icon

SUN50A20CI

SUN50A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =80nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =51m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN50A20CI SUN50A20 TO-

Другие IGBT... SRN1665FD, SRN1860F, SRN1860FD, SRN1865FD, SUN05A25F, SUN05A50ZD, SUN05A50ZF, SUN09A40D, RFP50N06, SUN82A20CI, SUN830D, SUN830DN, SUN830F, SUN830I, QM1830M3, AOCR33105E, AOCR35101E