AOCR36330 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOCR36330
   Código: 36330
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 128 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: CSP6.22X2.5-18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOCR36330

AOCR36330 Datasheet (PDF)

..1. Size:670K aosemi
aocr36330.pdf

AOCR3633030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:590K aosemi
aocr35101e.pdf

AOCR35101E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

9.2. Size:758K aosemi
aocr33105e.pdf

AOCR33105E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

9.3. Size:670K aosemi
aocr32326.pdf

AOCR3232630V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: