AOCA24106C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOCA24106C
   Código: H*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1.90X1.60-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOCA24106C

AOCA24106C Datasheet (PDF)

..1. Size:760K aosemi
aoca24106c.pdf

AOCA24106C12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

5.1. Size:628K aosemi
aoca24106e.pdf

AOCA24106E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

6.1. Size:679K aosemi
aoca24108e.pdf

AOCA24108E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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History: IPP147N12N3G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: