AOCA33103E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOCA33103E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9000 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: DFN2.52X2.52-10L

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AOCA33103E datasheet

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AOCA33103E

AOCA33103E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA33103E

AOCA33104A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA33103E

AOCA33104E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA33103E

AOCA33102E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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