AONT32136C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONT32136C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de AONT32136C MOSFET
AONT32136C Datasheet (PDF)
aont32136c.pdf

AONT32136C20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)
Otros transistores... AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E , AOCA72104E , AONT21313C , EMB04N03H , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E .
History: SSM6N7002CFU | DMN2004VK | STP20NE06L | IPP80N06S2-05 | IRF150SMD | SWI5N30D | TPC8025
History: SSM6N7002CFU | DMN2004VK | STP20NE06L | IPP80N06S2-05 | IRF150SMD | SWI5N30D | TPC8025



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087